Разработка, производство и поставка приборов газового анализа

Заказать звонок
  • Описание
  • Характеристики
  • Комплект поставки
  • Модификации товара
0% Взрывозащита
ЭнИ-БИС-1000-Ех барьер искрозащиты пассивный импортозамещающий компактный
ЭнИ-БИС-1000-Ех барьер искрозащиты пассивный импортозамещающий компактный
ЭнИ-БИС-1000-Ех барьер искрозащиты пассивный импортозамещающий компактный
Код товара: -
ЭнИ-БИС-1000-Ех барьер искрозащиты пассивный импортозамещающий компактный
Цена по запросу
В наличии 
Товар сертифицирован и имеет поверку
Гарантия завода-производителя, соответствие ГОСТ и ТУ
Политика импортозамещения
Доставка во все регионы ЕАЭС. Бесплатная доставка до ТК
Взрывозащищённое оборудование
Взрывозащищённое оборудование
Описание

Пассивные барьеры искрозащиты серии ЭнИ-БИС-1000-Ех предназначены для обеспечения безопасного сопряжения оборудования, расположенного во взрывобезопасной зоне, с приборами и датчиками, установленными во взрывоопасных зонах. Основная задача устройств — ограничение электрической энергии, поступающей в искробезопасные цепи, что позволяет исключить риск воспламенения газовоздушных смесей и обеспечить соответствие требованиям промышленной безопасности. Барьер искрозащиты ЭнИ-БИС-1000-Ех применяется в системах КИПиА, промышленной автоматизации и АСУ ТП на объектах с повышенными требованиями к взрывозащите.

Завод-изготовитель несёт гарантию полного соответствия барьера ЭнИ-БИС-1000-Ех заявленным характеристикам, а также требованиям технических условий ТУ только при соблюдении конечным потребителем правил и условий эксплуатации, транспортирования, хранения и монтажа, установленных и указанных в руководстве по эксплуатации.

Серия ЭнИ-БИС-1000-Ех относится к классу пассивных барьеров искрозащиты, также известных как шунт-диодные барьеры или барьеры на стабилитронах. Конструкция устройств включает шунтирующие стабилитроны, токоограничивающие резисторы и плавкие предохранители, обеспечивающие ограничение опасных токов и напряжений в аварийных режимах. При коротком замыкании или подаче чрезмерного напряжения плавкий предохранитель перегорает, предотвращая передачу опасной энергии во взрывоопасную зону. После срабатывания защиты барьер требует замены либо установки нового предохранителя в моделях со сменными элементами.

Барьер искрозащиты ЭнИ-БИС-1000-Ех выполнен в корпусе шириной всего 12,5 мм, что обеспечивает высокую плотность монтажа — до 6,5 мм на канал. Такое исполнение особенно востребовано в распределённых системах автоматизации и шкафах управления с ограниченным внутренним пространством. Устройства не требуют внешнего источника питания, отличаются простотой конструкции и минимальными эксплуатационными затратами. Благодаря отсутствию активных компонентов барьеры обеспечивают стабильную передачу сигналов без искажений и обладают высокой надёжностью при длительной эксплуатации.

Барьер искрозащиты ЭнИ-БИС-1000-Ех поддерживает передачу сигналов от термопар, термосопротивлений, а также унифицированных токовых сигналов 0…5 мА, 4–20 мА и 0…20 мА. Устройства прозрачны для HART-протокола, частотных и импульсных сигналов, что позволяет использовать их совместно с современными интеллектуальными датчиками и цифровыми системами мониторинга. Поддержка HART-протокола обеспечивает возможность удалённой диагностики, настройки и обслуживания измерительного оборудования без нарушения искробезопасности цепей.

Оборудование соответствует требованиям ГОСТ 31610.0 и ГОСТ 31610.11 для подгрупп IIB и IIC и имеет маркировку взрывозащиты [Ex ia Ga] IIC/IIB и [Ex ib Gb] IIC/IIB. Это позволяет применять шунт-диодный барьер в различных технологических процессах, связанных с эксплуатацией оборудования во взрывоопасных средах.

Области применения барьера искрозащиты ЭнИ-БИС-1000-Ех

  • Предприятия нефтегазового сектора;
  • Заводы химической и нефтехимической промышленности;
  • Объекты энергетики и теплоснабжения;
  • Металлургические предприятия;
  • Производственные линии с АСУ ТП;
  • Опасные производственные объекты (ОПО) с взрывоопасными зонами.
Характеристики
Наименование Маркировка Uвх.max, В Iнп, мА Rmax, Ом Um, В Uo, В Io, мА Po, Вт Co, мкФ Lo, мГн
IIC IIB IIA IIC IIB IIA
Эни-БИС-1007-Ex-DC(+) [Ex ia Ga] IIC 10,98 / 10,98 40 / 40 324 / 324 13,5 / 13,5 100 / 100 0,34 / 0,34 0,22 / 0,22 0,44 / 0,44 0,88 / 0,88 0,400 / 0,400 0,800 / 0,800 1,600 / 1,600
Эни-БИС-1008-Ex-AC [Ex ia Ga] IIC 21,00 / 21,00 40 / 40 351 / 351 25,8 / 25,8 100 / 100 0,65 / 0,65 0,06 / 0,06 0,12 / 0,12 0,24 / 0,24 0,400 / 0,400 0,800 / 0,800 1,600 / 1,600
Эни-БИС-1009-Ex-AC [Ex ia Ga] IIC 7,69 / 7,69 40 / 40 77 / 77 9,3 / 9,3 220 / 220 0,51 / 0,51 0,46 / 0,46 0,92 / 0,92 1,85 / 1,85 0,083 / 0,083 0,165 / 0,165 0,331 / 0,331
Эни-БИС-1010-Ex-DC(+) [Ex ib Gb] IIC 22,00 / 22,00 40 / 40 308 / 308 25,8 / 25,8 100 / 100 0,65 / 0,65 0,06 / 0,06 0,12 / 0,12 0,24 / 0,24 0,400 / 0,400 0,800 / 0,800 1,600 / 1,600
Эни-БИС-1013-Ex-DC(+) [Ex ib Gb] IIB 22,00 / 6,72 40 / 40 108 / 48 25,8 / 8,0 364 / 800 2,35 / 1,60 — / 1,25 0,12 / 2,50 0,24 / — — / 0,011 0,057 / 0,011 0,121 / 0,025
Эни-БИС-1015-Ex-DC(+) [Ex ib Gb] IIB 6,72 / 6,72 40 / 40 24,5 / 24,5 8,0 / 8,0 800 / 800 1,60 / 1,60 — / 1,25 1,25 / 2,50 2,50 / — — / 0,011 0,011 / 0,011 0,025 / 0,025
Эни-БИС-1016-Ex-AC [Ex ib Gb] IIC 10,05 / 10,05 40 / 40 53 / 53 12,5 / 12,5 750 / 750 2,34 / 2,34 0,26 / 0,26 0,51 / 0,51 1,02 / 1,02 0,007 / 0,007 0,012 / 0,012 0,028 / 0,028
Эни-БИС-1099-Ex — / — — / — — / — — / — — / — — / — — / — — / — — / — — / — — / — — / —
Эни-БИС-1110-Ex-DC(+) [Ex ib Gb] IIC 8,24 / — 40 / — 85 / — 10,0 / — 200 / — 0,50 / — 0,40 / — 0,80 / — 1,60 / — 0,100 / — 0,200 / — 0,400 / —
Эни-БИС-1115-Ex-DC(+) [Ex ib Gb] IIC 12,25 / — 40 / — 152 / — 15,0 / — 150 / — 0,57 / — 0,18 / — 0,36 / — 0,71 / — 0,178 / — 0,356 / — 0,711 / —
Эни-БИС-1115-Ex-DC(+)-P [Ex ib Gb] IIC 12,25 / — 40 / — 102 / — 15,0 / — 291 / — 1,09 / — 0,18 / — 0,36 / — 0,71 / — 0,047 / — 0,094 / — 0,189 / —
Эни-БИС-1150-Ex-AC [Ex ia Ga] IIC 10,00 / 10,00 40 / 40 1550 / 1550 13,0 / 13,0 9 / 9 0,03 / 0,03 0,24 / 0,24 0,47 / 0,47 0,95 / 0,95 49,38 / 49,38 98,76 / 98,76 197,5 / 197,5
Эни-БИС-1150-Ex-AC-s [Ex ia Ga] IIC 10,00 / 10,00 40 / 40 1550 / 1550 13,0 / 13,0 9 / 9 0,03 / 0,03 0,24 / 0,24 0,47 / 0,47 0,95 / 0,95 49,38 / 49,38 98,76 / 98,76 197,5 / 197,5
Эни-БИС-1150-Ex-DC(+) [Ex ib Gb] IIC 10,00 / 10,00 40 / 40 1550 / 1550 13,0 / 13,0 9 / 9 0,03 / 0,03 0,24 / 0,24 0,47 / 0,47 0,95 / 0,95 49,38 / 49,38 98,76 / 98,76 197,5 / 197,5
Эни-БИС-1151-Ex-DC(+) [Ex ia Ga] IIC 24,20 / 8,24 40 / 40 354 / 96 28,0 / 10,0 92 / 200 0,64 / 0,50 0,05 / 0,40 0,10 / 0,80 0,20 / 1,60 0,473 / 0,100 0,945 / 0,200 1,890 / 0,400
Эни-БИС-1151-Ex-DC(+)-R250 [Ex ia Ga] IIC 24,20 / 8,24 40 / 40 354 / 96 28,0 / 10,0 92 / 200 0,64 / 0,50 0,05 / 0,40 0,10 / 0,80 0,20 / 1,60 0,473 / 0,100 0,945 / 0,200 1,890 / 0,400
Эни-БИС-1152-Ex-DC(+) [Ex ia Ga] IIC 22,00 / 16,49 40 / 40 354 / 428 26,0 / 19,5 86 / 51 0,56 / 0,25 0,06 / 0,11 0,12 / 0,21 0,24 / 0,42 0,541 / 1,538 1,082 / 3,076 2,163 / 6,151
Эни-БИС-1152-Ex-DC(-) [Ex ia Ga] IIC 22,00 / 16,49 40 / 40 354 / 428 26,0 / 19,5 86 / 51 0,56 / 0,25 0,06 / 0,11 0,12 / 0,21 0,24 / 0,42 0,541 / 1,538 1,082 / 3,076 2,163 / 6,151
Эни-БИС-1153-Ex-AC [Ex ia Ga] IIC 12,72 / 12,72 40 / 40 144 / 144 15,5 / 15,5 157 / 157 0,61 / 0,61 0,17 / 0,17 0,33 / 0,33 0,67 / 0,67 0,162 / 0,162 0,325 / 0,325 0,649 / 0,649
Эни-БИС-1153-Ex-AC-s [Ex ia Ga] IIC 12,72 / 12,72 40 / 40 144 / 144 15,5 / 15,5 157 / 157 0,61 / 0,61 0,17 / 0,17 0,33 / 0,33 0,67 / 0,67 0,162 / 0,162 0,325 / 0,325 0,649 / 0,649
Эни-БИС-1153-Ex-DC(+) [Ex ib Gb] IIC 12,10 / 12,10 40 / 40 144 / 144 15,5 / 15,5 157 / 157 0,61 / 0,61 0,17 / 0,17 0,33 / 0,33 0,67 / 0,67 0,162 / 0,162 0,325 / 0,325 0,649 / 0,649
Эни-БИС-1154-Ex-DC(+) [Ex ia Ga] IIC 18,20 / 18,20 40 / 40 176 / 176 21,0 / 21,0 142 / 142 0,75 / 0,75 0,09 / 0,09 0,18 / 0,18 0,36 / 0,36 0,198 / 0,198 0,397 / 0,397 0,793 / 0,793
Эни-БИС-1155-Ex-AC [Ex ia Ga] IIC 7,02 / 7,02 40 / 40 395 / 395 9,0 / 9,0 26 / 26 0,06 / 0,06 0,49 / 0,49 0,99 / 0,99 1,98 / 1,98 5,917 / 5,917 11,83 / 11,83 23,69 / 23,69
Эни-БИС-1155-Ex-AC-P-s [Ex ia Ga] IIC 7,02 / 7,02 40 / 40 120 / 120 9,0 / 9,0 122 / 122 0,27 / 0,27 0,49 / 0,49 0,99 / 0,99 1,98 / 1,98 0,269 / 0,269 0,537 / 0,537 1,075 / 1,075
Эни-БИС-1155-Ex-AC-P [Ex ia Ga] IIC 7,02 / 7,02 40 / 40 120 / 120 9,0 / 9,0 122 / 122 0,27 / 0,27 0,49 / 0,49 0,99 / 0,99 1,98 / 1,98 0,269 / 0,269 0,537 / 0,537 1,075 / 1,075
Эни-БИС-1156-Ex-AC [Ex ia Ga] IIC 15,10 / 15,10 40 / 40 166 / 166 18 / 18 147 / 147 0,66 / 0,66 0,12 / 0,12 0,25 / 0,25 0,49 / 0,49 0,185 / 0,185 0,370 / 0,370 0,740 / 0,740
Эни-БИС-1156-Ex-AC-s [Ex ia Ga] IIC 15,10 / 15,10 40 / 40 166 / 166 18 / 18 147 / 147 0,66 / 0,66 0,12 / 0,12 0,25 / 0,25 0,49 / 0,49 0,185 / 0,185 0,370 / 0,370 0,740 / 0,740
Эни-БИС-1157-Ex-DC(+)-f [Ex ia Ga] IIC 23,90 / 23,90 40 / 40 351 / 351 250 28 / 28 92 / 92 0,64 / 0,64 0,05 / 0,05 0,10 / 0,10 0,20 / 0,20 0,473 / 0,473 0,945 / 0,945 1,890 / 1,890
Эни-БИС-1157-Ex-DC(+)-d [Ex ia Ga] IIC 23,90 / 23,90 40 / 40 338 / диод 250 28 / 28 92 / — 0,64 / — 0,05 / — 0,10 / — 0,20 / — 0,473 / — 0,945 / — 1,890 / —
Эни-БИС-1157-Ex-DC(+)-d-f [Ex ia Ga] IIC 23,90 / 23,90 40 / 40 351 / диод 250 28 / 28 92 / — 0,64 / — 0,05 / — 0,10 / — 0,20 / — 0,473 / — 0,945 / — 1,890 / —
Эни-БИС-1157-Ex-DC(+)-P [Ex ia Ga] IIC 23,90 / 23,90 40 / 40 267 / 267 250 28 / 28 120 / 120 0,84 / 0,84 0,05 / 0,05 0,10 / 0,10 0,20 / 0,20 0,278 / 0,278 0,556 / 0,556 1,111 / 1,111
Эни-БИС-1157-Ex-DC(+)-P-f [Ex ia Ga] IIC 23,90 / 23,90 40 / 40 280 / 280 250 28 / 28 120 / 120 0,84 / 0,84 0,05 / 0,05 0,10 / 0,10 0,20 / 0,20 0,278 / 0,278 0,556 / 0,556 1,111 / 1,111
Эни-БИС-1157-Ex-DC(+)-d-P [Ex ia Ga] IIC 23,90 / 23,90 40 / 40 267 / диод 250 28 / 28 120 / — 0,84 / — 0,05 / — 0,10 / — 0,20 / — 0,278 / — 0,556 / — 1,111 / —
Эни-БИС-1157-Ex-DC(+)-d-P-f [Ex ia Ga] IIC 23,90 / 23,90 40 / 40 280 / диод 250 28 / 28 120 / — 0,84 / — 0,05 / — 0,10 / — 0,20 / — 0,278 / — 0,556 / — 1,111 / —
Эни-БИС-1157-Ex-DC(-) [Ex ia Ga] IIC 23,90 / 23,90 40 / 40 338 / 338 250 28 / 28 92 / 92 0,64 / 0,64 0,05 / 0,05 0,10 / 0,10 0,20 / 0,20 0,473 / 0,473 0,945 / 0,945 1,890 / 1,890
Эни-БИС-1157-Ex-DC(-)-f [Ex ia Ga] IIC 23,90 / 23,90 40 / 40 351 / 351 250 28 / 28 92 / 92 0,64 / 0,64 0,05 / 0,05 0,10 / 0,10 0,20 / 0,20 0,473 / 0,473 0,945 / 0,945 1,890 / 1,890
Эни-БИС-1157-Ex-DC(-)-d [Ex ia Ga] IIC 23,90 / 23,90 40 / 40 338 / диод 250 28 / 28 92 / — 0,64 / — 0,05 / — 0,10 / — 0,20 / — 0,473 / — 0,945 / — 1,890 / —
Эни-БИС-1157-Ex-DC(-)-d-f [Ex ia Ga] IIC 23,90 / 23,90 40 / 40 351 / диод 250 28 / 28 92 / — 0,64 / — 0,05 / — 0,10 / — 0,20 / — 0,473 / — 0,945 / — 1,890 / —
Эни-БИС-1157-Ex-DC(-)-P-f [Ex ia Ga] IIC 23,90 / 23,90 40 / 40 280 / 280 250 28 / 28 120 / 120 0,84 / 0,84 0,05 / 0,05 0,10 / 0,10 0,20 / 0,20 0,278 / 0,278 0,556 / 0,556 1,111 / 1,111
Эни-БИС-1157-Ex-DC(-)-d-P-f [Ex ia Ga] IIC 23,90 / 23,90 40 / 40 280 / диод 250 28 / 28 120 / — 0,84 / — 0,05 / — 0,10 / — 0,20 / — 0,278 / — 0,556 / — 1,111 / —
Эни-БИС-1158-Ex-DC(+) [Ex ib Gb] IIC 23,90 / — 40 / — 358 / — 28 / — 92 / — 0,64 / — 0,05 / — 0,10 / — 0,20 / — 0,473 / — 0,945 / — 1,890 / —
Эни-БИС-1158-Ex-DC(+)-f [Ex ib Gb] IIC 23,90 / — 40 / — 360 / — 28 / — 92 / — 0,64 / — 0,05 / — 0,10 / — 0,20 / — 0,473 / — 0,945 / — 1,890 / —
Эни-БИС-1158-Ex-DC(+)-P [Ex ib Gb] IIC 23,90 / — 40 / — 287 / — 28 / — 120 / — 0,84 / — 0,05 / — 0,10 / — 0,20 / — 0,278 / — 0,556 / — 1,111 / —
Эни-БИС-1158-Ex-DC(+)-P-f [Ex ib Gb] IIC 23,90 / — 40 / — 289 / — 28 / — 120 / — 0,84 / — 0,05 / — 0,10 / — 0,20 / — 0,278 / — 0,556 / — 1,111 / —
Эни-БИС-1158-Ex-DC(+)-PP [Ex ib Gb] IIC 23,90 / — 40 / — 210 / — 28 / — 170 / — 1,19 / — 0,05 / — 0,10 / — 0,20 / — 0,138 / — 0,277 / — 0,554 / —
Эни-БИС-1158-Ex-DC(-) [Ex ib Gb] IIC 23,90 / — 40 / — 358 / — 28 / — 92 / — 0,64 / — 0,05 / — 0,10 / — 0,20 / — 0,473 / — 0,945 / — 1,890 / —
Эни-БИС-1158-Ex-DC(-)-P [Ex ib Gb] IIC 23,90 / — 40 / — 287 / — 28 / — 120 / — 0,84 / — 0,05 / — 0,10 / — 0,20 / — 0,278 / — 0,556 / — 1,111 / —
Эни-БИС-1158-Ex-DC(-)-P-f [Ex ib Gb] IIC 23,90 / — 40 / — 289 / — 28 / — 120 / — 0,84 / — 0,05 / — 0,10 / — 0,20 / — 0,278 / — 0,556 / — 1,111 / —
Эни-БИС-1159-Ex-AC [Ex ia Ga] IIC 10,44 / 10,44 40 / 40 180 / 180 13 / 13 90 / 90 0,29 / 0,29 0,24 / 0,24 0,47 / 0,47 0,95 / 0,95 0,494 / 0,494 0,988 / 0,988 1,975 / 1,975
Эни-БИС-1159-Ex-AC-P [Ex ia Ga] IIC 10,44 / 10,44 40 / 40 107 / 107 13 / 13 176 / 176 0,57 / 0,57 0,24 / 0,24 0,47 / 0,47 0,95 / 0,95 0,129 / 0,129 0,258 / 0,258 0,517 / 0,517
Эни-БИС-1159-Ex-AC-P-s [Ex ia Ga] IIC 10,44 / 10,44 40 / 40 107 / 107 13 / 13 176 / 176 0,57 / 0,57 0,24 / 0,24 0,47 / 0,47 0,95 / 0,95 0,129 / 0,129 0,258 / 0,258 0,517 / 0,517
Эни-БИС-1160-Ex-AC [Ex ia Ga] IIC 8,54 / 8,54 40 / 40 79 / 79 10,5 / 10,5 200 / 200 0,53 / 0,53 0,36 / 0,36 0,73 / 0,73 1,45 / 1,45 0,100 / 0,100 0,200 / 0,200 0,400 / 0,400
Эни-БИС-1161-Ex-AC [Ex ia Ga] IIC 11,60 / 11,60 40 / 40 138 / 138 15 / 15 150 / 150 0,56 / 0,56 0,18 / 0,18 0,36 / 0,36 0,71 / 0,71 0,178 / 0,178 0,356 / 0,356 0,711 / 0,711
Эни-БИС-1162-Ex-AC [Ex ia Ga] IIC 23,40 / 23,40 40 / 40 641 / 641 28 / 28 47 / 47 0,33 / 0,33 0,05 / 0,05 0,10 / 0,10 0,20 / 0,20 1,811 / 1,811 3,622 / 3,622 7,243 / 7,243
Комплект поставки
  • Барьер ЭнИ-БИС-Ех (соответственно заказу)
  • Паспорт
  • Руководство по эксплуатации
  • Колодка (2 контакта, серая)
  • Колодка (2 контакта, Push-in, серая)
  • Колодка (2 контакта, Push-in, синяя)
  • Сменный предохранитель номиналом 63 мА
  • Шина объединительная ШО (по заказу)
  • DIN-рейка (по заказу)

Документация и сертификаты

Вся документация и сертификаты высылается отдельно по запросу.

Сертификат соответствия Таможенного союза Сертификат соответствия ГОСТ Р Сертификат соответствия о требованиях пожарной безопасности (РФ)

Модификации товара
ЭнИ-БИС-1000-Ех барьер искрозащиты пассивный импортозамещающий компактный
ЭнИ-БИС-1000-Ех барьер искрозащиты пассивный импортозамещающий компактный
Цена по запросу
Нет в наличии
Наличие сертификатов - гарантирует высокое качество выпускаемой продукции
Разработка, производство и внедрение газоаналитических систем "под ключ". Сборка систем подготовки пробы